MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 111 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-602
Nº ref. fabric.:
NTMFS2D3N04XMT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

111A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

DFN-5

Serie

NTMFS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.35mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.1nC

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5mm

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
La tecnología MOSFET de potencia de ON Semiconductor con la mejor resistencia de conexión de su clase para aplicaciones de controladores de motor. Una menor resistencia a la conexión y una menor carga en la puerta pueden reducir las pérdidas de conducción. Un buen control de la suavidad para la recuperación inversa del diodo del cuerpo puede reducir el estrés de los picos de tensión sin circuito snubber adicional en la aplicación.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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