Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS4C310NT1G, VDSS 30 V, ID 51 A, Mejora, DFN de 6 pines

Código RS:: 172-3343
Nº ref. fabric.:: NVMFS4C310NT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS4C310NT1G, VDSS 30 V, ID 51 A, Mejora, DFN de 6 pines

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Código RS:: 172-3343
Nº ref. fabric.:: NVMFS4C310NT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	51A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	DFN
	Serie	NVMFS4C310N
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	9mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd	32W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	9.7nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.1mm
	Altura	1.05mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 51A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado DFN
	Serie NVMFS4C310N
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd 32W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.7nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.1mm
	Altura 1.05mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Baja capacitancia para minimizar pérdidas de controlador

Carga de puerta optimizada para minimizar pérdidas de conmutación

NVMFS4C310NWF − Opción de flancos sumergibles para inspección óptica mejorada

Estos dispositivos no contienen plomo

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