MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C446NLT1G, VDSS 40 V, ID 145 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 172-3377
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C446NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 145A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVMFD5C446NL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 145A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVMFD5C446NL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Baja resistencia
Mínimas pérdidas de conducción
Capacidad de corriente alta
Rendimiento de carga resistente
Protección de sobrecarga de tensión
Aplicaciones
Driver de lado bajo
Driver de lado alto
Accionador de motor
Tren de potencia de automoción
Motores de aire acondicionado y calefacción de automoción
Bombas de presión de ABS
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