MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C672NLWFT1G, VDSS 60 V, ID 49 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 172-3408
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C672NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 172-3408
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD5C672NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NVMFD5C672NL | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NVMFD5C672NL | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja rDS(on)
Minimiza pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
NVMFD5C446NLWF − Opción de flanco sumergible
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
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