MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, ID 4 A, N, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 172-8788
- Nº ref. fabric.:
- NCP81075DR2G
- Fabricante:
- onsemi
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- 172-8788
- Nº ref. fabric.:
- NCP81075DR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | NCP81075 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 0.4 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 170°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie NCP81075 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 0.4 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 170°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El NCP81075 es un IC de controlador de puerta de MOSFET doble (lado alto y lado bajo) de altas prestaciones diseñado para accionar MOSFET de alta tensión y alta velocidad de hasta 180 V de funcionamiento. El NCP81075 integra un CI de controlador y un diodo de autocarga y ofrece una capacidad de accionamiento de hasta 4 A. Los controladores de lado alto y lado bajo se controlan de manera independiente con un retardo de propagación típico ajustado de 3,5 ns. Este controlador es ideal para usar en aplicaciones de reductores de alta tensión, fuentes de alimentación aisladas, convertidores de avance de abrazadera activa y 2 interruptores. el dispositivo también se puede utilizar en aplicaciones de optimizador solar e inversor solar. La pieza se ofrece en encapsulado SO8, DFN de 8 pines y DFN de 10 pines y con especificaciones completas de -40C a 140C.
Acciona dos MOSFET de canal N en lado alto y bajo
Diodo de autocarga integrado para controlador de puerta de lado alto
Rango de tensión de alimentación de autocarga de hasta 180 V
Fuente de 4 A, capacidad de corriente de salida de disipador de 4 A
Acciona carga de 1 nF con tiempos de subida y bajada típicos de 8 ns/7 ns
Gama de tensión de alimentación amplia de 8,5 V a 20 V
Tiempos de retardo de propagación rápidos (Típ. 20 ns)
Ajuste de retardo de 2 ns (típico)
Protección de bloqueo por subtensión (UVLO) para tensión de accionamiento
Rango de temperaturas de unión de funcionamiento de -40 °C a 140 °C
Aplicaciones
Conversor elevador
fuentes de alimentación aisladas
Amplificador de audio de clase D
Convertidores de avance de abrazadera activa y dos interruptores
Optimizador solar
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