MOSFET onsemi FDS3572, VDSS 80 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-2600
Nº ref. fabric.:: FDS3572
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDS3572, VDSS 80 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,711 €

(exc. IVA)

0,86 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,711 €	1.777,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-2600
Nº ref. fabric.:: FDS3572
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	16 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4mm
Longitud	5mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	31 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm