MOSFET ROHM R6520KNX1C10, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	R6520KNX1
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	200 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	220 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Longitud	10.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	40 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	16.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.5V

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