MOSFET ROHM SCT3030ARC14, VDSS 650 V, ID 70 A, TO-247-4 de 4 pines, config. Simple

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Código RS:
191-8501
Nº ref. fabric.:
SCT3030ARC14
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-247-4

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

39 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

262 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

22 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

104 nC @ 18V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

SCT3030AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver source terminal is improving high-speed switching performance.

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Tiempo de recuperación inversa rápido

Easy to parallel

Fácil de accionar

Chapado de cable sin plomo

High efficiency 4pin package

Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'

Aplicación

Inversores solares

Convertidores dc/dc

Fuentes de alimentación de modo conmutado

Calentadores de inducción

Controladores para motor

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