MOSFET ROHM R6520ENJTL, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-263S de 3 pines, config. Simple

Documentación Técnica

Producto Descatalogado

Estado RoHS: No aplica

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-263S
Serie	R6520ENJ
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	200 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	231 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	61 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.2mm
Longitud	10.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.5V
Altura	4.7mm