MOSFET ROHM R6504KNJTL, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-263S de 3 pines, config. Simple

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-263S
Serie	R6504KNJ
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,05 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	58 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Longitud	10.4mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V
Altura	4.7mm
Tensión de diodo directa	1.5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

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