MOSFET, Tipo P-Canal Microchip VP2450N8-G, VDSS 500 V, ID 160 mA, Mejora, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 177-9737
- Nº ref. fabric.:
- VP2450N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-9737
- Nº ref. fabric.:
- VP2450N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | VP2450 | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 2.6 mm | |
| Longitud | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie VP2450 | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 2.6 mm | ||
Longitud 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Estabilidad térmica excelente
Diodo de fuente a drenador integral
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