- Código RS:
- 177-9737
- Nº ref. fabric.:
- VP2450N8-G
- Fabricante:
- Microchip
1990 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,972 €
(exc. IVA)
2,386 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
5 + | 1,972 € | 9,86 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 177-9737
- Nº ref. fabric.:
- VP2450N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- TW
Datos del Producto
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Estabilidad térmica excelente
Diodo de fuente a drenador integral
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Estabilidad térmica excelente
Diodo de fuente a drenador integral
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 160 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Serie | VP2450 |
Tipo de Encapsulado | SOT-89 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 35 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1.5V |
Disipación de Potencia Máxima | 1,6 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
Longitud | 4.6mm |
Ancho | 2.6mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 1.6mm |
Tensión de diodo directa | 1.8V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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