MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS192PH6327FTSA1, VDSS 250 V, ID 190 mA, Mejora, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 753-2848
- Nº ref. fabric.:
- BSS192PH6327FTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 753-2848
- Nº ref. fabric.:
- BSS192PH6327FTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 190mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 4.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 190mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 4.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 250 V, corriente de drenaje continua máxima de 190 mA - BSS192PH6327FTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de canal P diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos eléctricos exigentes. Funciona como un transistor de modo de mejora adecuado para aplicaciones que requieren conmutación de alta tensión controlada y manejo de corriente continua baja, funcionando en un amplio rango de temperaturas para su uso en sistemas regulados y electrónica de automoción.
Características y ventajas:
• La capacidad nominal de drenaje y fuente de 250 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 190 mA admite el control de carga de baja corriente
• La Rds máxima de 20 Ω reduce la pérdida de conducción en circuitos de baja corriente
• La carga de puerta típica de 4,9 nC a Vgs garantiza un comportamiento de conmutación predecible
• El límite de fuente de puerta de 20 V permite diseños de accionamiento de puerta sencillos
• La disipación de potencia máxima de 1 W gestiona las limitaciones térmicas en diseños compactos
• La corriente de drenaje continua de 190 mA admite el control de carga de baja corriente
• La Rds máxima de 20 Ω reduce la pérdida de conducción en circuitos de baja corriente
• La carga de puerta típica de 4,9 nC a Vgs garantiza un comportamiento de conmutación predecible
• El límite de fuente de puerta de 20 V permite diseños de accionamiento de puerta sencillos
• La disipación de potencia máxima de 1 W gestiona las limitaciones térmicas en diseños compactos
Aplicaciones
• Adecuado para la conmutación de ruta de alimentación de sensores de automoción
• Ideal para circuitos de protección contra polaridad inversa de baja potencia
• Se utiliza con subsistemas de gestión de baterías de alta tensión
• Se puede utilizar para la sustitución de relés pequeños en módulos de control
• Adecuado para la distribución de potencia de montaje en superficie en placas compactas
• Ideal para circuitos de protección contra polaridad inversa de baja potencia
• Se utiliza con subsistemas de gestión de baterías de alta tensión
• Se puede utilizar para la sustitución de relés pequeños en módulos de control
• Adecuado para la distribución de potencia de montaje en superficie en placas compactas
¿Qué rango térmico puede tolerar en condiciones hostiles?
Funciona de manera fiable desde -55 °C hasta 150 °C para adaptarse a entornos de temperatura extendida.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para el diseño de la placa de circuito impreso?
El componente se suministra con tres pines, lo que permite el enrutamiento de huella SOT‐89 estándar.
¿Qué estilo de encapsulado deben esperar los diseñadores para el montaje?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT‐89 adaptado a diseños de placa compactos.
¿Está clasificado el dispositivo para los estándares de certificación de automoción?
Cumple con AEC-Q101, cumpliendo con la protección contra estrés industrial para uso en automoción.
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