MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-5862
Nº ref. fabric.:: BSS123NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

15000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,052 €

(exc. IVA)

0,063 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,052 €	156,00 €
6000 - 12000	0,05 €	150,00 €
15000 +	0,048 €	144,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5862
Nº ref. fabric.:: BSS123NH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	190 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	10 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.3mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,6 nC a 10 V
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C