MOSFET Nexperia BST82,215, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 112-5548
Nº ref. fabric.:: BST82,215
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia BST82,215, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

100 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,38 €

(exc. IVA)

0,46 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 145	0,38 €	1,90 €
150 - 245	0,362 €	1,81 €
250 - 495	0,34 €	1,70 €
500 - 1245	0,322 €	1,61 €
1250 +	0,312 €	1,56 €

*precio indicativo

Código RS:: 112-5548
Nº ref. fabric.:: BST82,215
Fabricante:: Nexperia

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	190 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	10 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	830 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.4mm
Longitud	3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Altura	1mm