MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 100 V, ID 190 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 166-1262
- Nº ref. fabric.:
- BST82,215
- Fabricante:
- Nexperia
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
267,00 €
(exc. IVA)
324,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 3000 Envío desde el 15 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,089 € | 267,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-1262
- Nº ref. fabric.:
- BST82,215
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 190mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | BST82 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 830mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 190mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie BST82 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 830mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
Enlaces relacionados
- MOSFET215 ID 190 mA SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET Infineon BSS169IXTSA1 ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines