MOSFET, N-Canal Infineon BSS119NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5873
- Nº ref. fabric.:
- BSS119NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
108,00 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,036 € | 108,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5873
- Nº ref. fabric.:
- BSS119NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 190mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 190mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.3mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 190 mA - BSS119NH6327XTSA1
Características y ventajas:
• La Rds máxima de 10 Ω proporciona bajas pérdidas de conducción para cargas pequeñas
• La disipación de potencia máxima de 500 mW gestiona la carga térmica en circuitos compactos
• La corriente de drenaje continua de 190 mA admite aplicaciones de control de baja corriente
• La carga de puerta típica de 0,6 nC permite una conmutación más rápida con una energía de accionamiento mínima
• La tolerancia de puerta de ±20 V admite un amplio rango de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Ideal para la gestión de potencia de baja corriente de uso general
• Se utiliza con circuitos de control de gestión de baterías en vehículos
• Se puede utilizar para el cambio de nivel de alta tensión de señal pequeña
• Se utiliza para controladores de etapa de puerta en diseños de convertidores de baja potencia
¿Qué método de montaje es necesario para el montaje de PCB?
¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?
¿Qué consideraciones deben tenerse sobre el accionamiento de puerta?
¿Qué envolvente mecánico deben permitir los diseñadores?
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