MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS119NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
165-5873
Nº ref. fabric.:
BSS119NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

190mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.6nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Longitud

2.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.3 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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