MOSFET, N-Canal Infineon BSS123NH6433XTMA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5732
- Nº ref. fabric.:
- BSS123NH6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 10000 unidades)*
360,00 €
(exc. IVA)
440,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 05 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,036 € | 360,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5732
- Nº ref. fabric.:
- BSS123NH6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 190mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 190mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3mm | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, resistencia de fuente de drenaje máxima de 10 Ω - BSS123NH6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para tareas de conmutación y control en conjuntos electrónicos compactos. Está diseñado para su uso en un amplio rango térmico y en aplicaciones donde se requiere una carga de conmutación baja y un manejo de corriente conservador. El dispositivo se suministra en un encapsulado SOT-23 para un montaje sencillo en PCB y es adecuado para entornos que requieren robustez de componentes de grado automovilístico.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 100 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 10 Ω simplifica la protección de baja potencia y la limitación de corriente
• La carga de puerta típica de 0,6 nC minimiza las pérdidas de conmutación
• La corriente de drenaje continua de 190 mA admite el control de carga ligera
• La tensión nominal de puerta de 20 V permite la compatibilidad con niveles de accionamiento comunes
• La disipación de potencia de 500 mW soporta cargas térmicas modestas
• La Rds(on) de 10 Ω simplifica la protección de baja potencia y la limitación de corriente
• La carga de puerta típica de 0,6 nC minimiza las pérdidas de conmutación
• La corriente de drenaje continua de 190 mA admite el control de carga ligera
• La tensión nominal de puerta de 20 V permite la compatibilidad con niveles de accionamiento comunes
• La disipación de potencia de 500 mW soporta cargas térmicas modestas
Aplicaciones
• Apto para circuitos de detección de gestión de baterías
• Ideal para conmutar cargas de baja corriente en módulos de control
• Se utiliza con interfaces de cambio de nivel en sistemas de tensión mixta
• Puede utilizarse para el aislamiento de señales en periféricos de automoción
• Adecuado para redes de distribución de energía con limitación térmica
• Ideal para conmutar cargas de baja corriente en módulos de control
• Se utiliza con interfaces de cambio de nivel en sistemas de tensión mixta
• Puede utilizarse para el aislamiento de señales en periféricos de automoción
• Adecuado para redes de distribución de energía con limitación térmica
¿Qué condiciones de temperatura puede soportar en funcionamiento?
Funciona en un amplio rango de –55 a 150 °C, lo que permite su uso tanto en entornos de arranque en frío como de altas temperaturas.
¿Qué montaje y configuración de contactos utiliza?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23 de tres contactos, optimizado para el montaje automatizado de placas de circuito impreso y diseños de factor de forma pequeño.
¿Cómo influye su estructura en la selección para proyectos de automoción?
El dispositivo cumple un estándar de prueba de tensión de automoción, lo que lo convierte en adecuado donde los componentes deben tolerar requisitos de certificación de automoción.
¿Cómo debe gestionarse la disipación térmica en un PCB?
Con un límite de disipación de 500 mW, los diseñadores deben proporcionar una superficie de cobre o vías térmicas adecuadas para distribuir el calor y mantener las temperaturas de unión dentro de límites seguros.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET Infineon BSS169IXTSA1 ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET215 ID 190 mA SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SOT-89 de 3 pines