MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRFBF20PBF, VDSS 900 V, ID 1.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 178-0843
- Nº ref. fabric.:
- IRFBF20PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
56,75 €
(exc. IVA)
68,65 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,135 € | 56,75 € |
| 100 - 200 | 1,022 € | 51,10 € |
| 250 + | 0,965 € | 48,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-0843
- Nº ref. fabric.:
- IRFBF20PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 900V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 54W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 900V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 54W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 900 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 900 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 900 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines