MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFD210PBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, Mejora, HVMDIP de 4 pines

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Código RS:
178-0916
Nº ref. fabric.:
IRFD210PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

600mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

HVMDIP

Serie

IRFD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

2V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Altura

3.37mm

Anchura

6.29 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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