MOSFET, N-Canal Vishay IRFD210PBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, Mejora, HVMDIP de 4 pines
- Código RS:
- 178-0916
- Nº ref. fabric.:
- IRFD210PBF
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 178-0916
- Nº ref. fabric.:
- IRFD210PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 600mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | HVMDIP | |
| Serie | IRFD | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 3.37mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6.29mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 600mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado HVMDIP | ||
Serie IRFD | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 3.37mm | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6.29mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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