MOSFET Vishay IRFD9110PBF, VDSS 100 V, ID 700 mA, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
- Código RS:
- 541-0749
- Nº ref. fabric.:
- IRFD9110PBF
- Fabricante:
- Vishay
64 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio Unidad
1,52 €
(exc. IVA)
1,84 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 1 - 9 | 1,52 € |
| 10 - 49 | 1,16 € |
| 50 - 99 | 1,11 € |
| 100 - 249 | 1,02 € |
| 250 + | 0,94 € |
- Código RS:
- 541-0749
- Nº ref. fabric.:
- IRFD9110PBF
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de tercera generación Vishay proporcionan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 contactos es un tipo de caja insertable a máquina de bajo coste que se puede apilar en varias combinaciones en centros de contactos de 0,1 pulg. Estándar.
Valor nominal de dv/dt dinámico
Índice de avalancha repetitiva
Índice de avalancha repetitiva
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 700 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | HVMDIP |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,2 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,3 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Material del transistor | Si |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 8,7 nC a 10 V |
| Ancho | 6.29mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 5mm |
| Altura | 3.37mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 541-0749
- Nº ref. fabric.:
- IRFD9110PBF
- Fabricante:
- Vishay
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