MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP, Mejora de 4 pines

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Código RS:
919-4498
Nº ref. fabric.:
IRFD110PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HVMDIP

Serie

IRFD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

540mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Tensión directa Vf

2.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

3.37mm

Anchura

6.29 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
CARACTERÍSTICAS

• MOSFET de potencia TrenchFET®

• paquete con baja resistencia térmica

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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