MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

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Código RS:
919-4498
Nº ref. fabric.:
IRFD110PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1,3 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

6.29mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,3 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Material del transistor

Si

Altura

3.37mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
PH
CARACTERÍSTICAS

• MOSFET de potencia TrenchFET®

• paquete con baja resistencia térmica

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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