MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, Mejora, HVMDIP de 4 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
541-1039
Nº ref. fabric.:
IRFD110PBF
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IRFD

Encapsulado

HVMDIP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

540mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

2.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.37mm

Longitud

5mm

Anchura

6.29 mm

Estándar de automoción

No

CARACTERÍSTICAS

• MOSFET de potencia TrenchFET®

• paquete con baja resistencia térmica

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados