MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, Mejora, HVMDIP de 4 pines
- Código RS:
- 541-1039
- Nº ref. fabric.:
- IRFD110PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 541-1039
- Nº ref. fabric.:
- IRFD110PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IRFD | |
| Encapsulado | HVMDIP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 540mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 3.37mm | |
| Anchura | 6.29 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IRFD | ||
Encapsulado HVMDIP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 540mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 3.37mm | ||
Anchura 6.29 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
CARACTERÍSTICAS
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• paquete con baja resistencia térmica
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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