MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFD014PBF, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, HVMDIP de 4 pines
- Código RS:
- 541-0581
- Nº ref. fabric.:
- IRFD014PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
1,63 €
(exc. IVA)
1,97 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 19 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,63 € |
| 10 - 49 | 1,45 € |
| 50 - 99 | 1,31 € |
| 100 - 249 | 1,21 € |
| 250 + | 1,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 541-0581
- Nº ref. fabric.:
- IRFD014PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | HVMDIP | |
| Serie | IRFD | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.29 mm | |
| Altura | 3.37mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado HVMDIP | ||
Serie IRFD | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.29 mm | ||
Altura 3.37mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, HVMDIP de 4 pines