MOSFET, N-Canal Vishay IRFD120PBF, VDSS 100 V, ID 1.3 A, Mejora, HVMDIP de 4 pines

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Código RS:
178-0921
Nº ref. fabric.:
IRFD120PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IRFD

Encapsulado

HVMDIP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

270mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

2.5V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.29mm

Altura

3.37mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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