MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, HVMDIP de 4 pines

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Código RS:
178-0922
Nº ref. fabric.:
IRLD014PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HVMDIP

Serie

IRLD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.37mm

Longitud

5mm

Anchura

6.29 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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