MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 200 V, ID -0.4 A, HVMDIP de 4 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8628
Nº ref. fabric.:
IRFD9210PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-0.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

HVMDIP

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

8.38mm

Anchura

5 mm

Longitud

10.79mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El Vishay IRFD9210 es un MOSFET de potencia de canal P con tensión de drenador a fuente (VDS) de 200V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene un encapsulado HVMDIP. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 3ohms a 10VGS.

Valor nominal de dv/dt dinámico

Índice de avalancha repetitiva

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