MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 2.4 A, HVMDIP de 4 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8673
- Nº ref. fabric.:
- IRFD020PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8673
- Nº ref. fabric.:
- IRFD020PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | HVMDIP | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Longitud | 0.29in | |
| Altura | 0.330in | |
| Anchura | 0.425 in | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado HVMDIP | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Longitud 0.29in | ||
Altura 0.330in | ||
Anchura 0.425 in | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado HVMDIP-4 de canal N que es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 50V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 100Mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 1W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Compacto, apilable en los extremos
• Facilidad de conexión en paralelo
• Excelente estabilidad de temperatura
• Cambio rápido
• Para inserción automática
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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