MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 2.4 A, HVMDIP de 4 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 180-8673
Nº ref. fabric.:: IRFD020PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 2.4 A, HVMDIP de 4 pines, 1, config. Simple

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250 - 495	1,816 €	9,08 €
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1250 +	1,604 €	8,02 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-8673
Nº ref. fabric.:: IRFD020PBF
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	50V
	Encapsulado	HVMDIP
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.1Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	24nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Tensión directa Vf	1.4V
	Disipación de potencia máxima Pd	1W
	Configuración de transistor	Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	0.29in
	Certificaciones y estándares	RoHS Directive 2002/95/EC
	Altura	0.330in
	Anchura	0.425 in
	Número de elementos por chip	1
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V
	Encapsulado HVMDIP
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Tensión directa Vf 1.4V
	Disipación de potencia máxima Pd 1W
	Configuración de transistor Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 0.29in
	Certificaciones y estándares RoHS Directive 2002/95/EC
	Altura 0.330in
	Anchura 0.425 in
	Número de elementos por chip 1
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: PH

MOSFET Vishay

El MOSFET Vishay es un encapsulado HVMDIP-4 de canal N que es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 50V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 100Mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 1W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Compacto, apilable en los extremos

• Facilidad de conexión en paralelo

• Excelente estabilidad de temperatura

• Cambio rápido

• Para inserción automática

• Componente sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

Aplicaciones

• Cargador de baterías

• Inversores

• Fuentes de alimentación

• Alimentación de modo conmutado (SMPS)

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 2.4 A, HVMDIP de 4 pines, 1, config. Simple

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MOSFET Vishay

Características y ventajas

Aplicaciones

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