MOSFET Vishay IRLD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 301-338
Nº ref. fabric.:: IRLD110PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRLD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple

20 Disponible para entrega en 24/48 horas

160 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

1,548 €

(exc. IVA)

1,873 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	1,548 €	7,74 €
50 - 120	1,348 €	6,74 €
125 - 245	1,284 €	6,42 €
250 - 495	1,206 €	6,03 €
500 +	1,116 €	5,58 €
*precio indicativo

Código RS:: 301-338
Nº ref. fabric.:: IRLD110PBF
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	HVMDIP
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	540 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1,3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-10 V, +10 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,1 nC a 5 V
Ancho	6.29mm
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	3.37mm

Código RS:: 301-338
Nº ref. fabric.:: IRLD110PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRLD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

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