MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal IRLD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP, Mejora de 4 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
178-0913
Nº ref. fabric.:
IRLD110PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IRLD

Encapsulado

HVMDIP

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

540mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Tensión directa Vf

2.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.1nC

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Altura

3.37mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.29mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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