MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRFD020PBF, VDSS 50 V, ID 2.4 A, HVMDIP de 4 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8317
Nº ref. fabric.:
IRFD020PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

HVMDIP

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.1Ω

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

0.29in

Certificaciones y estándares

RoHS Directive 2002/95/EC

Altura

0.330in

Anchura

0.425 in

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET Vishay


El MOSFET Vishay es un encapsulado HVMDIP-4 de canal N que es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 50V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 100Mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 1W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Compacto, apilable en los extremos

• Facilidad de conexión en paralelo

• Excelente estabilidad de temperatura

• Cambio rápido

• Para inserción automática

• Componente sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

Aplicaciones


• Cargador de baterías

• Inversores

• Fuentes de alimentación

• Alimentación de modo conmutado (SMPS)

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