MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SQS944ENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 178-3956
- Nº ref. fabric.:
- SQS944ENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,78 € | 19,50 € |
| 100 - 475 | 0,663 € | 16,58 € |
| 500 - 975 | 0,584 € | 14,60 € |
| 1000 + | 0,507 € | 12,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-3956
- Nº ref. fabric.:
- SQS944ENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 27.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Anchura | 3.15 mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 27.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.15mm | ||
Anchura 3.15 mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
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