MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
178-3726
Nº ref. fabric.:
SQS944ENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.07mm

Anchura

3.15 mm

Longitud

3.15mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de potencia TrenchFET®

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