MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 178-4231
- Nº ref. fabric.:
- FDD86250-F085
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.135,00 €
(exc. IVA)
2.582,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 5000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,854 € | 2.135,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4231
- Nº ref. fabric.:
- FDD86250-F085
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | FDD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie FDD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET PowerTrench® de puerta apantallada de canal N, 150 V, 50 A, 22 mΩ
RDS(on) típ. = 19,4 mΩ con VGS = 10 V, ID = 20 A
Qg(tot) típ. = 28 nC con VGS = 10 V, ID = 40 A
Capacidad para UIS
Aplicaciones:
Control de motores de automóviles
Gestión de sistemas de propulsión
Controladores de motores y solenoides
Arquitecturas de alimentación distribuida y VRM
Interruptor principal para sistemas de 12 V
Productos finales:
Motores de arranque/alternadores integrados
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
