MOSFET onsemi FDD770N15A, VDSS 150 V, ID 11,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 809-0938
Nº ref. fabric.:: FDD770N15A
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDD770N15A, VDSS 150 V, ID 11,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

150 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,774 €

(exc. IVA)

0,937 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	0,774 €	7,74 €
100 - 490	0,561 €	5,61 €
500 - 990	0,47 €	4,70 €
1000 - 2490	0,401 €	4,01 €
2500 +	0,389 €	3,89 €

*precio indicativo

Código RS:: 809-0938
Nº ref. fabric.:: FDD770N15A
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	77 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	56,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	6.22mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,4 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.39mm