MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDD770N15A, VDSS 150 V, ID 11.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 809-0938
- Nº ref. fabric.:
- FDD770N15A
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
3,19 €
(exc. IVA)
3,86 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Disponible(s) 110 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Última(s) 1660 unidad(es) para enviar desde el 02 de enero de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,319 € | 3,19 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 809-0938
- Nº ref. fabric.:
- FDD770N15A
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 77mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 77mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi FDD770N15A ID 11 DPAK (TO-252) de 3 pines config. Simple
- MOSFET onsemi FDD2582 ID 21 A , config. Simple
- MOSFET onsemi FDD390N15A ID 26 A , config. Simple
- MOSFET onsemi FDD86250 ID 8 A , config. Simple
- MOSFET onsemi FDD120AN15A0 ID 14 A , config. Simple
- MOSFET onsemi FDD86250-F085 ID 50 A , config. Simple
- MOSFET onsemi NDD05N50ZT4G ID 5 DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
- MOSFET onsemi NVD5C478NLT4G ID 45 A , config. Simple
