MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDD2582, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 759-9068
- Nº ref. fabric.:
- FDD2582
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
3,26 €
(exc. IVA)
3,94 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,63 € | 3,26 € |
| 20 - 198 | 1,405 € | 2,81 € |
| 200 - 998 | 1,22 € | 2,44 € |
| 1000 + | 1,075 € | 2,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 759-9068
- Nº ref. fabric.:
- FDD2582
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 172mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 95W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 172mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 95W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines