MOSFET onsemi FDD2582, VDSS 150 V, ID 21 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 759-9068
Nº ref. fabric.:: FDD2582
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDD2582, VDSS 150 V, ID 21 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

1,05 €

(exc. IVA)

1,27 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 8	1,05 €	2,10 €
10 - 98	0,895 €	1,79 €
100 - 248	0,68 €	1,36 €
250 - 498	0,655 €	1,31 €
500 +	0,575 €	1,15 €

*precio indicativo

Código RS:: 759-9068
Nº ref. fabric.:: FDD2582
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	172 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	95 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Ancho	6.22mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C