MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4380
Nº ref. fabric.:
IPD530N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.35mm

Anchura

6.42mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destino

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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