MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

16,49 €

(exc. IVA)

19,95 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 70 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 400 unidad(es) más para enviar a partir del 09 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 101,649 €16,49 €
20 - 401,319 €13,19 €
50 - 901,237 €12,37 €
100 - 2401,155 €11,55 €
250 +1,114 €11,14 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
171-1945
Nº ref. fabric.:
IPD200N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.45 mm

Longitud

10.36mm

Altura

4.57mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon IPD200N15N3 G es 150V OptiMOS logra una reducción en R DS(on) del 40% y del 45% en la cifra de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades como cambiar de encapsulados con cable a encapsulados SMD o reemplazar dos piezas antiguas con una pieza OptiMOS.

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más bajo del mundo

Enlaces relacionados