MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
171-1945
Nº ref. fabric.:
IPD200N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.57mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.45mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPD200N15N3 G es 150V OptiMOS logra una reducción en R DS(on) del 40% y del 45% en la cifra de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades como cambiar de encapsulados con cable a encapsulados SMD o reemplazar dos piezas antiguas con una pieza OptiMOS.

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más bajo del mundo

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