MOSFET Infineon IPD200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 171-1945
- Nº ref. fabric.:
- IPD200N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
20 Disponible para entrega en 24/48 horas
130 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
2,262 €
(exc. IVA)
2,737 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 10 - 10 | 2,262 € | 22,62 € |
| 20 - 40 | 1,81 € | 18,10 € |
| 50 - 90 | 1,697 € | 16,97 € |
| 100 - 240 | 1,583 € | 15,83 € |
| 250 + | 1,471 € | 14,71 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 171-1945
- Nº ref. fabric.:
- IPD200N15N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El Infineon IPD200N15N3 G es 150V OptiMOS logra una reducción en R DS(on) del 40% y del 45% en la cifra de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades como cambiar de encapsulados con cable a encapsulados SMD o reemplazar dos piezas antiguas con una pieza OptiMOS.
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más bajo del mundo
R DS(on) más bajo del mundo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 50 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Serie | IPD200N15N3 G |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 20 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 9.45mm |
| Longitud | 10.36mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 23 nC a 10 V |
| Altura | 4.57mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
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