Transistor MOSFET & Diodo Infineon IRFR24N15DTRPBF, VDSS 150 V, ID 24 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, 2elementos

Los MOSFET Infineon OptiMOS de potencia de canal N se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.

Carga de compuerta a drenaje baja para reducir
Pérdidas de conmutación
Capacitancia completamente caracterizada incluidos
Un COSS eficaz para simplificar el diseño (consulte
Ap Nota AN1001)
Tensión de avalancha completamente caracterizada
Y actual
Sin plomo