MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 24 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 165-8030
- Nº ref. fabric.:
- IRFR4620TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-8030
- Nº ref. fabric.:
- IRFR4620TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 78mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 144W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 7.49mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 78mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 144W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 7.49mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 24 A - IRFR4620TRLPBF
Este MOSFET de modo de mejora de canal n es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos. Funciona en un amplio rango de temperaturas, por lo que es adecuado para entornos térmicos exigentes, y proporciona capacidad de conmutación de alta tensión para aplicaciones que requieren un rendimiento de drenaje-fuente robusto.
Características y ventajas:
• La clasificación de 200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 24 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 78 mΩ proporciona bajas pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 25 nC permite una conmutación rápida de la puerta
• La disipación de potencia máxima de 144 W soporta una carga térmica significativa
• La corriente de drenaje continua de 24 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 78 mΩ proporciona bajas pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 25 nC permite una conmutación rápida de la puerta
• La disipación de potencia máxima de 144 W soporta una carga térmica significativa
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc de alta tensión en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor en sistemas industriales
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías que requieren una tolerancia de 200 V
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en módulos de potencia
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor en sistemas industriales
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías que requieren una tolerancia de 200 V
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en módulos de potencia
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para una conmutación rápida?
Utilice un controlador capaz de generar y absorber corrientes para cargar la puerta dentro del presupuesto de carga de puerta total típico de 25 nC para equilibrar la velocidad de conmutación y minimizar las pérdidas de transición.
¿Cómo afecta la gestión térmica al funcionamiento continuo con corrientes elevadas?
Para mantener la corriente continua de 24 A y la disipación de hasta 144 W, asegúrese de que el área de cobre de la PCB o el disipador de calor son suficientes y mantenga las temperaturas de unión dentro del rango de funcionamiento especificado.
¿Cuáles son los límites para las tensiones de puerta y drenaje para evitar daños?
Mantenga la tensión de puerta a fuente dentro de ±20 V y asegúrese de que el drenaje a la fuente nunca supera el valor nominal máximo de 200 V en todas las condiciones de funcionamiento.
¿Cómo se comporta el dispositivo en entornos fríos y calientes?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C, por lo que los márgenes de diseño deben tener en cuenta los cambios de parámetros, como la variación de resistencia de conexión a lo largo de ese rango de temperatura.