MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD530N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-4381
Nº ref. fabric.:
IPD530N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.35mm

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destino

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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