MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD530N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 15 unidades)*

11,925 €

(exc. IVA)

14,43 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 11.460 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
15 - 600,795 €11,93 €
75 - 1350,755 €11,33 €
150 - 3600,722 €10,83 €
375 - 7350,692 €10,38 €
750 +0,644 €9,66 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-4381
Nº ref. fabric.:
IPD530N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.65mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.42 mm

Altura

2.35mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destino

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

Enlaces relacionados