MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 5 pines

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Código RS:
170-2287
Nº ref. fabric.:
IPD200N15N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

IPD200N15N3 G

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.45 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPD200N15N3 G es 150V OptiMOS logra una reducción en R DS(on) del 40% y del 45% en la cifra de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades como cambiar de encapsulados con cable a encapsulados SMD o reemplazar dos piezas antiguas con una pieza OptiMOS.

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más bajo del mundo

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