MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ520N15NS3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
754-5389
Nº ref. fabric.:
BSZ520N15NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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