MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 63 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4628
Nº ref. fabric.:
BSZ068N06NSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS-TM3

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.35mm

Altura

1.2mm

Anchura

6.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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