MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 63 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4628
Nº ref. fabric.:
BSZ068N06NSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS-TM3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1 mm

Longitud

5.35mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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