MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ113N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-154
- Nº ref. fabric.:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,826 € | 9,13 € |
| 50 - 95 | 1,736 € | 8,68 € |
| 100 - 495 | 1,608 € | 8,04 € |
| 500 - 995 | 1,478 € | 7,39 € |
| 1000 + | 1,426 € | 7,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-154
- Nº ref. fabric.:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | ISZ | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie ISZ | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este OptiMOS Linear FET de Infineon es un enfoque revolucionario que resuelve la disyuntiva entre resistencia en estado encendido y capacidad en modo lineal. Combinado con el encapsulado PQFN 3,3 x 3,3 de bajo coste y perfil, está pensado para el arranque suave y la limitación de corriente en aplicaciones de alimentación a través de Ethernet (PoE).
Amplia zona de funcionamiento seguro
RDS(on) baja
Máxima corriente de impulso alta
Máxima corriente continua alta
Disponible en paquete pequeño de perfil bajo
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