MOSFET Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, PG-TSDSON-8 de 8 pines

Código RS:: 273-5250
Nº ref. fabric.:: BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, PG-TSDSON-8 de 8 pines

100 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

1,332 €

(exc. IVA)

1,612 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	1,332 €	6,66 €
50 - 495	1,112 €	5,56 €
500 - 995	0,952 €	4,76 €
1000 - 2495	0,932 €	4,66 €
2500 +	0,916 €	4,58 €

*precio indicativo

Código RS:: 273-5250
Nº ref. fabric.:: BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - BSZ12DN20NS3GATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET tiene una excelente carga de puerta. Está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones objetivo y temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados. Se trata de una conversión de dc a dc optimizada.

Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	PG-TSDSON-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Modo de Canal	Mejora
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, PG-TSDSON-8 de 8 pines

Documentación Técnica

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Especificaciones

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