MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines

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Código RS:
273-5249
Nº ref. fabric.:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

BSZ12DN20NS3 G

Encapsulado

PG-TSDSON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

40mm

Anchura

40 mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC1

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET tiene una excelente carga de puerta. Está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones objetivo y temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados. Se trata de una conversión de dc a dc optimizada.

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Resistencia de encendido muy baja

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