MOSFET Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:
165-6894
Nº ref. fabric.:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

200 V

Tipo de Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS™ 3

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

Longitud

3.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

3.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior



Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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