Nº ref. fabric.

MOSFET Infineon BSZ050N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-5246
Nº ref. fabric.:: BSZ050N03MSGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSZ050N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:: 827-5246
Nº ref. fabric.:: BSZ050N03MSGATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
	Tipo de Encapsulado	TSDSON
	Serie	OptiMOS™ 3
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,7 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1V
	Disipación de Potencia Máxima	48 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Longitud	3.4mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 nC a 10 V
	Ancho	3.4mm
	Material del transistor	Si
	Altura	1.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 40 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
	Tipo de Encapsulado TSDSON
	Serie OptiMOS™ 3
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 5,7 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1V
	Disipación de Potencia Máxima 48 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Longitud 3.4mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 34 nC a 10 V
	Ancho 3.4mm
	Material del transistor Si
	Altura 1.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon BSZ050N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

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