MOSFET Infineon BSZ050N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

OptiMOS™ 3

Tipo de Encapsulado

TSDSON

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

48 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 10 V

Longitud

3.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C