MOSFET Infineon BSZ050N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 827-5246
- Nº ref. fabric.:
- BSZ050N03MSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 827-5246
- Nº ref. fabric.:
- BSZ050N03MSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 40 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tipo de Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5,7 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 48 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 3.4mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 34 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 40 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 5,7 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 48 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 3.4mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 34 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V
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MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Transistores MOSFET, Infineon
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