MOSFET Infineon BSO200P03SHXUMA1, VDSS 30 V, ID 7,4 A, DSO de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:
857-8494
Nº ref. fabric.:
BSO200P03SHXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

DSO

Serie

OptiMOS P

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1,56 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5mm

Ancho

4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.65mm

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