MOSFET Infineon IRF9393TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Ver todo MOSFET
Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
165-8282
Nº ref. fabric.:
IRF9393TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Longitud

5mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.5mm

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Enlaces relacionados